Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 46 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS-artikelnummer:
- 827-6233
- Tillv. art.nr:
- TK46A08N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 6 enheter)*
90,612 kr
(exkl. moms)
113,268 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 6 - 54 | 15,102 kr | 90,61 kr |
| 60 - 114 | 11,742 kr | 70,45 kr |
| 120 - 294 | 10,677 kr | 64,06 kr |
| 300 - 594 | 10,51 kr | 63,06 kr |
| 600 + | 10,21 kr | 61,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6233
- Tillv. art.nr:
- TK46A08N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TK | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.5 mm | |
| Height | 15mm | |
| Length | 10mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TK | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.5 mm | ||
Height 15mm | ||
Length 10mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
