STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

116,93 kr

(exkl. moms)

146,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2023,386 kr116,93 kr
25 - 4522,198 kr110,99 kr
50 - 12019,98 kr99,90 kr
125 - 24517,964 kr89,82 kr
250 +17,092 kr85,46 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-6944
Tillv. art.nr:
STB60NF06LT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

14mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35nC

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics