Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

54,32 kr

(exkl. moms)

67,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
5 - 4510,864 kr54,32 kr
50 - 2459,228 kr46,14 kr
250 - 4957,616 kr38,08 kr
500 - 12457,146 kr35,73 kr
1250 +6,72 kr33,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9373
Tillv. art.nr:
SIRA06DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.73V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar