Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

54,32 kr

(exkl. moms)

67,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 4510,864 kr54,32 kr
50 - 2459,228 kr46,14 kr
250 - 4957,616 kr38,08 kr
500 - 12457,146 kr35,73 kr
1250 +6,72 kr33,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
787-9373
Tillv. art.nr:
SIRA06DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

62.5W

Framåtriktad spänning Vf

0.73V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.12mm

Bredd

5.26 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.25mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar