STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 710 V Förbättring, 3 Ben, MDmesh M5

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

325,81 kr

(exkl. moms)

407,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1325,81 kr
2 - 4317,41 kr
5 +309,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
783-3028
Tillv. art.nr:
STY139N65M5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

130A

Maximal källspänning för dränering Vds

710V

Serie

MDmesh M5

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

17mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

363nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

625W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.9mm

Bredd

5.3 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics


Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics