STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
783-2999
Tillv. art.nr:
STW38N65M5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

710V

Serie

MDmesh M5

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

95mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

71nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Maximal effektförlust Pd

190W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.15mm

Längd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics


Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics