onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

57,00 kr

(exkl. moms)

71,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 28 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 +1,14 kr57,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-0627
Tillv. art.nr:
NTJD5121NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

300mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SC-88

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

2.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

266mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Bredd

1.35 mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor