STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF10NM60N
- RS-artikelnummer:
- 761-2739
- Tillv. art.nr:
- STF10NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
189,50 kr
(exkl. moms)
236,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 45 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 45 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 340 enhet(er) från den 01 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 37,90 kr | 189,50 kr |
| 25 - 45 | 35,996 kr | 179,98 kr |
| 50 - 120 | 32,39 kr | 161,95 kr |
| 125 - 245 | 29,164 kr | 145,82 kr |
| 250 + | 27,686 kr | 138,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-2739
- Tillv. art.nr:
- STF10NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | MDmesh | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 550mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16.4mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series MDmesh | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 550mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16.4mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
relaterade länkar
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP18NM60N
