STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

103,49 kr

(exkl. moms)

129,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 540 enhet(er) levereras från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 520,698 kr103,49 kr
10 +19,668 kr98,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-0405
Tillv. art.nr:
STB55NF06LT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET II

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16 V

Maximal effektförlust Pd

95W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Längd

10.75mm

Bredd

10.4 mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics