N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPAATMA1

RS-artikelnummer:: 753-3002
Tillv. art.nr:: IPB60R099CPAATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPAATMA1

Denna produkt har utgått

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPATMA1

RS-artikelnummer: 753-2999

Varje

32,84 kr

(exkl. moms)

41,05 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:: 753-3002
Tillv. art.nr:: IPB60R099CPAATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	31 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	105 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	20V
Minimum Gate Threshold Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	255 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	9.45mm
Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	10.31mm
Transistor Material	Si
Series	CoolMOS CP
Height	4.57mm
Minimum Operating Temperature	-40 °C

N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB60R099CPAATMA1

Alternativ

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET