DiodesZetex DMG1012UW-7 Type N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMG1012UW-7
- RS-artikelnummer:
- 751-4073
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
62,00 kr
(exkl. moms)
78,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 200 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 57 400 enhet(er) från den 08 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 0,62 kr | 62,00 kr |
| 600 - 1400 | 0,589 kr | 58,90 kr |
| 1500 + | 0,443 kr | 44,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-4073
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMG1012UW-7 | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.74nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 290mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.2mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMG1012UW-7 | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.74nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 290mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.2mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex DMG1012UW-7 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- DiodesZetex DMN601WK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMN601WK-7
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMN2065UW-7
- DiodesZetex BSS127 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSS127SSN-7
- DiodesZetex DMN3067LW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMN3067LW-7
- DiodesZetex DMN53D0LW Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMN53D0LW-7
- DiodesZetex DMN3065LW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 DMN3065LW-7
- DiodesZetex DMN601WK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70