onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 719-2901
- Tillv. art.nr:
- NTD5867NLT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
86,58 kr
(exkl. moms)
108,225 kr
(inkl. moms)
Lägg till 30 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- 5 enhet(er) levereras från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,316 kr | 86,58 kr |
| 50 - 95 | 14,918 kr | 74,59 kr |
| 100 - 495 | 12,924 kr | 64,62 kr |
| 500 - 995 | 11,38 kr | 56,90 kr |
| 1000 + | 10,348 kr | 51,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-2901
- Tillv. art.nr:
- NTD5867NLT4G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.38mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 20 A 60 V Förbättring TO-252
- onsemi Typ N Kanal 16 A 60 V Förbättring TO-252, RFD16N06LESM
- onsemi Typ N Kanal 11.5 A 60 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 11 A 60 V Förbättring TO-252, RFD3055LESM
- onsemi Typ N Kanal 18 A 60 V Förbättring TO-252, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal 24 A 60 V Förbättring TO-252, NTD24N06L
- onsemi Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 18 A 60 V Förbättring TO-252, NTD18N06L
