IXYS Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK26N120P

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

408,80 kr

(exkl. moms)

511,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 410 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12408,80 kr
13 +398,61 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
711-5360
Distrelec artikelnummer:
302-53-346
Tillv. art.nr:
IXFK26N120P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

460mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

225nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

19.96mm

Standards/Approvals

No

Width

5.13 mm

Height

26.16mm

Distrelec Product Id

30253346

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar