N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

RS-artikelnummer:: 146-1745
Tillv. art.nr:: IXFK120N30P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

Pris (ex. moms) Var (i ett rör med 25)

171,704 kr

(exkl. moms)

214,63 kr

(inkl. moms)

22 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per Tube**
25 +	171,704 kr	4 292,60 kr

RS-artikelnummer:: 146-1745
Tillv. art.nr:: IXFK120N30P3
Tillverkare / varumärke:: IXYS

IXFK120N30P3, IXFX120N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	300 V
Series	HiperFET, Polar3
Package Type	TO-264
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	27 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.13 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Length	19.96mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	150 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Width	5.13mm
Height	26.16mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series