Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

101,36 kr

(exkl. moms)

126,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Dessutom levereras 40 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Sista 540 enhet(er) levereras från den 05 januari 2026
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1805,068 kr101,36 kr
200 - 4803,808 kr76,16 kr
500 - 9803,551 kr71,02 kr
1000 - 19803,052 kr61,04 kr
2000 +2,526 kr50,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3257
Tillv. art.nr:
SI2308BDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

Si2308BDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.192Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.66W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar