onsemi NTF Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NTF2955T1G
- RS-artikelnummer:
- 688-9130
- Tillv. art.nr:
- NTF2955T1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
31,70 kr
(exkl. moms)
39,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 42 enhet(er) från den 12 januari 2026
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 12 januari 2026
- Dessutom levereras 7 384 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 15,85 kr | 31,70 kr |
| 20 - 198 | 13,665 kr | 27,33 kr |
| 200 + | 11,815 kr | 23,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-9130
- Tillv. art.nr:
- NTF2955T1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | NTF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 185mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 3.5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series NTF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.5mm | ||
Width 3.5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
relaterade länkar
- onsemi NTF Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi NTF Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi NTF Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NTF5P03T3G
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP318SH6327XTSA1
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDT Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi NTF Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
