STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5273
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
66,64 kr
(exkl. moms)
83,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 318 enhet(er) levereras från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 33,32 kr | 66,64 kr |
| 4 + | 31,64 kr | 63,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5273
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.3mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4.3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.2 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 800 V Förbättring TO-247 SuperMESH