Vishay IRL Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS-artikelnummer:
- 541-0610
- Tillv. art.nr:
- IRL510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
15,46 kr
(exkl. moms)
19,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 62 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 20 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 603 enhet(er) från den 07 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 15,46 kr |
| 10 - 49 | 10,98 kr |
| 50 - 99 | 10,30 kr |
| 100 - 249 | 9,41 kr |
| 250 + | 8,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-0610
- Tillv. art.nr:
- IRL510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | IRL | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 540mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7 mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series IRL | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 540mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7 mm | ||
Height 9.01mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
relaterade länkar
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL510PBF
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL630PBF
- onsemi IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL640A
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF510PBF
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL640SPBF