Vishay IRF640 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640PBF
- RS-artikelnummer:
- 541-0452
- Tillv. art.nr:
- IRF640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
711,10 kr
(exkl. moms)
888,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 950 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 350 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per Rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 14,222 kr | 711,10 kr |
| 100 - 200 | 12,23 kr | 611,50 kr |
| 250 + | 11,377 kr | 568,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-0452
- Tillv. art.nr:
- IRF640PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRF640 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Width | 4.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRF640 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.41mm | ||
Width 4.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4020PBF
- onsemi IRL Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL640A
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NF20
- onsemi N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-220 IRL640A
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220