STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 419-2197
- Distrelec artikelnummer:
- 171-12-832
- Tillv. art.nr:
- STP12NM50
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
47,15 kr
(exkl. moms)
58,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 42 enhet(er) från den 23 mars 2026
- Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 23 mars 2026
- Dessutom levereras 1 345 enhet(er) från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 47,15 kr |
| 2 + | 44,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 419-2197
- Distrelec artikelnummer:
- 171-12-832
- Tillv. art.nr:
- STP12NM50
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.15mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 14 A 500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 21 A 500 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7.2 A 500 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 14 A 500 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 800 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 800 V Förbättring TO-220, MDmesh