Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 178.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

19 518,00 kr

(exkl. moms)

24 396,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30006,506 kr19 518,00 kr
6000 +6,279 kr18 837,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
281-6039
Distrelec artikelnummer:
301-56-785
Tillv. art.nr:
SISS66DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

178.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00138Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET with schottky diode has applications in synchronous rectification, synchronous buck converter, and DC/DC conversions.

TrenchFET Generation IV power MOSFET

SKYFET with monolithic schottky diode

relaterade länkar