Vishay Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 66.7 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SiSS78LDN

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5020
Tillv. art.nr:
SiSS78LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

70V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8S

Serie

SiSS78LDN

Fästetyp

Yta, Ytmontering

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

57W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.83mm

Bredd

3.4 mm

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Vishays N-kanals 70 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S-hus.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)

Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad