Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 66.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

76,94 kr

(exkl. moms)

96,176 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 5619,235 kr76,94 kr
60 - 9618,845 kr75,38 kr
100 - 23618,48 kr73,92 kr
240 - 99618,088 kr72,35 kr
1000 +17,668 kr70,67 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
280-0003
Tillv. art.nr:
SISS5808DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00745Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar