Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

87,472 kr

(exkl. moms)

109,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 6 000 enhet(er) levereras från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 5621,868 kr87,47 kr
60 - 9616,408 kr65,63 kr
100 - 23614,588 kr58,35 kr
240 - 99614,253 kr57,01 kr
1000 +13,945 kr55,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9994
Tillv. art.nr:
SISS5110DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0126Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar