Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 36.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SiSS5623DN
- RS-artikelnummer:
- 280-0001
- Tillv. art.nr:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 4 enheter)*
98,34 kr
(exkl. moms)
122,924 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 24,585 kr | 98,34 kr |
| 60 - 96 | 23,575 kr | 94,30 kr |
| 100 - 236 | 20,86 kr | 83,44 kr |
| 240 - 996 | 20,495 kr | 81,98 kr |
| 1000 + | 20,133 kr | 80,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 280-0001
- Tillv. art.nr:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SiSS5623DN | |
| Kapseltyp | 1212-8S | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.046Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 56.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SiSS5623DN | ||
Kapseltyp 1212-8S | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.046Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 56.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device