Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 36.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SiSS5623DN
- RS-artikelnummer:
- 280-0000
- Tillv. art.nr:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
24 918,00 kr
(exkl. moms)
31 146,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,306 kr | 24 918,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 280-0000
- Tillv. art.nr:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | 1212-8S | |
| Serie | SiSS5623DN | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.046Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 56.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp 1212-8S | ||
Serie SiSS5623DN | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.046Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 56.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device