Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

61,71 kr

(exkl. moms)

77,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4512,342 kr61,71 kr
50 - 9511,156 kr55,78 kr
100 - 2459,946 kr49,73 kr
250 - 9959,788 kr48,94 kr
1000 +9,564 kr47,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9999
Tillv. art.nr:
SISS52DN-T1-UE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

162A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0012Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar