Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SISS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

19 203,00 kr

(exkl. moms)

24 003,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,401 kr19 203,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9985
Tillv. art.nr:
SISS4402DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

128A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SISS

Kapseltyp

1212-8S

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0022Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Relaterade länkar