Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 56.7 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

83,892 kr

(exkl. moms)

104,864 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 - 5620,973 kr83,89 kr
60 - 9619,993 kr79,97 kr
100 - 23617,835 kr71,34 kr
240 - 99617,50 kr70,00 kr
1000 +17,193 kr68,77 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9934
Tillv. art.nr:
SIJ4108DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8L

Series

SIJ

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.13mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar