Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

33 102,00 kr

(exkl. moms)

41 376,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +11,034 kr33 102,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9930
Tillv. art.nr:
SIJ4106DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8L

Series

SIJ

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0083Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.13mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar