Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR SIHR080N60E-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

78,62 kr

(exkl. moms)

98,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 964 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4978,62 kr
50 - 9959,14 kr
100 - 24952,30 kr
250 - 99951,18 kr
1000 +50,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9929
Tillv. art.nr:
SIHR080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHR

Package Type

8x8LR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar