Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

90 036,00 kr

(exkl. moms)

112 545,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +30,012 kr90 036,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9928
Tillv. art.nr:
SIHR080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

8x8LR

Series

SIHR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar