Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

95,09 kr

(exkl. moms)

118,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 995,09 kr
10 - 2493,18 kr
25 - 9991,39 kr
100 +89,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9924
Tillv. art.nr:
SIHP074N65E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHP

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.078Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar