Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60E-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

63,17 kr

(exkl. moms)

78,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4963,17 kr
50 - 9961,82 kr
100 - 24960,59 kr
250 - 99959,25 kr
1000 +58,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9920
Tillv. art.nr:
SIHK155N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.158Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar