Vishay SIHF Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF085N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 653,50 kr

(exkl. moms)

3 317,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5053,07 kr2 653,50 kr
100 +47,179 kr2 358,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9908
Tillv. art.nr:
SIHF085N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

SIHF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar