Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7

Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
273-5349
Tillv. art.nr:
IPL65R230C7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS C7

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

0.23Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

67W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Power MOSFET constructed with CoolMOS™ revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. It is designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Halogen free

Better efficiency

Pb free lead plating

High power density

Better control of the gate