Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

24 495,00 kr

(exkl. moms)

30 620,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +4,899 kr24 495,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-5247
Tillv. art.nr:
BSZ0902NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

106A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

relaterade länkar