Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS

Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
273-5247
Tillv. art.nr:
BSZ0902NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

106A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PG-TSDSON-8FL

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

48W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance