Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -14.9 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P
- RS-artikelnummer:
- 273-5242
- Tillv. art.nr:
- BSO080P03SHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
81,98 kr
(exkl. moms)
102,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,396 kr | 81,98 kr |
| 50 - 95 | 13,664 kr | 68,32 kr |
| 100 - 245 | 12,612 kr | 63,06 kr |
| 250 - 995 | 11,692 kr | 58,46 kr |
| 1000 + | 11,446 kr | 57,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5242
- Tillv. art.nr:
- BSO080P03SHXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -14.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | -102nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 40 mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 40mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -14.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs -102nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 40 mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 40mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It has 150 degree Celsius operating temperature and qualified according JEDEC for target applications.
Logic level
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Enhancement mode