Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

66,33 kr

(exkl. moms)

82,912 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 833,165 kr66,33 kr
10 - 1830,185 kr60,37 kr
20 - 2429,51 kr59,02 kr
26 - 4827,61 kr55,22 kr
50 +25,59 kr51,18 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3022
Tillv. art.nr:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO220-3

Series

IPP65R190CFD7A

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

77W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS N channel automotive SJ power MOSFET. It has highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements.

Enabling of higher power density designs

Granular portfolio available

relaterade länkar