Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 0.82 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 273-2796
- Tillv. art.nr:
- IPT60R022S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
99,46 kr
(exkl. moms)
124,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 99,46 kr |
| 50 - 99 | 90,27 kr |
| 100 - 249 | 82,77 kr |
| 250 - 999 | 76,61 kr |
| 1000 + | 71,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2796
- Tillv. art.nr:
- IPT60R022S7XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 0.82V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 390W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 0.82V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal effektförlust Pd 390W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFET is a 600V CoolMOS SJ S7 power device. It enables the best price performance for low frequency switching applications. The CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.
Total Pb free
RoHS compliant
Faster switching times
Easy visual inspection leads
Minimized conduction losses
More compact and easier design