Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-2778
- Tillv. art.nr:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
50,96 kr
(exkl. moms)
63,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 96 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 50,96 kr |
| 50 - 99 | 46,26 kr |
| 100 - 249 | 42,45 kr |
| 250 - 499 | 39,20 kr |
| 500 + | 36,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2778
- Tillv. art.nr:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a 650V CoolMOS CFD7A power device, It is a Infineon latest generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the new CoolMOS CFD7A series provides for an integrated fast body diode and can be used for PFC and resonant switching topologies like the ZVS phase shift full bridge and LLC.
Lower switching losses
High quality and reliability
100 percent avalanche tested
Optimized for higher battery voltages