Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 273-2626
- Tillv. art.nr:
- BSC010N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
31,14 kr
(exkl. moms)
38,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 15,57 kr | 31,14 kr |
| 50 - 498 | 12,99 kr | 25,98 kr |
| 500 - 998 | 8,68 kr | 17,36 kr |
| 1000 - 2498 | 7,17 kr | 14,34 kr |
| 2500 + | 7,055 kr | 14,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2626
- Tillv. art.nr:
- BSC010N04LSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 139W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 95nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.35 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 139W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 95nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.35 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for synchronous rectification and it has higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection. It is a qualified according to JEDEC for target applications.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance