Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 26.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS
- RS-artikelnummer:
- 268-8348
- Tillv. art.nr:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
24 294,00 kr
(exkl. moms)
30 366,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,098 kr | 24 294,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8348
- Tillv. art.nr:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | SISS | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8S | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0315Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 54.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie SISS | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8S | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0315Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal effektförlust Pd 54.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent