ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

129,70 kr

(exkl. moms)

162,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 330 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9129,70 kr
10 - 24119,39 kr
25 - 49116,93 kr
50 - 99114,69 kr
100 +100,69 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
266-3900
Tillv. art.nr:
SCT3105KRC15
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The ROHM MOSFET is an SiC MOSFET featuring a trench gate structure optimized for server power supplies, solar power inverters, and EV charging stations requiring high efficiency. A new 4-pin package is used that separates the power and driver source terminals, making it possible to maximize high-speed switching performance. This improves turn ON loss in particular, and as a result the total turn ON and turn OFF losses can be reduced by as much as 35% compared with the conventional 3-pin package.

Low on resistance

Fast switching speed

Simple to drive

Pb free lead plating

Fast reverse recovery

Relaterade länkar