ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 450 enheter)*

35 446,05 kr

(exkl. moms)

44 307,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
450 +78,769 kr35 446,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
266-3899
Tillv. art.nr:
SCT3105KRC15
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The ROHM MOSFET is an SiC MOSFET featuring a trench gate structure optimized for server power supplies, solar power inverters, and EV charging stations requiring high efficiency. A new 4-pin package is used that separates the power and driver source terminals, making it possible to maximize high-speed switching performance. This improves turn ON loss in particular, and as a result the total turn ON and turn OFF losses can be reduced by as much as 35% compared with the conventional 3-pin package.

Low on resistance

Fast switching speed

Simple to drive

Pb free lead plating

Fast reverse recovery

Relaterade länkar