ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

42,34 kr

(exkl. moms)

52,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 986 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4821,17 kr42,34 kr
50 - 9819,04 kr38,08 kr
100 - 24815,51 kr31,02 kr
250 - 49815,175 kr30,35 kr
500 +13,16 kr26,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-5418
Tillv. art.nr:
R6013VNXC7G
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6013VNX

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

relaterade länkar