Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

67,72 kr

(exkl. moms)

84,65 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 975 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4513,544 kr67,72 kr
50 - 12012,186 kr60,93 kr
125 - 24511,356 kr56,78 kr
250 - 4958,804 kr44,02 kr
500 +7,37 kr36,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
262-6779
Tillv. art.nr:
IRFU4510PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

IPAK

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

143W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

relaterade länkar