Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 3000 enheter)*

19 320,00 kr

(exkl. moms)

24 150,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
3000 +6,44 kr19 320,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6778
Tillv. art.nr:
IRFU4510PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

143W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.22 mm

Height

2.39mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

relaterade länkar