Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Se alla MOSFETs
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
262-6739
Tillv. art.nr:
IRF7503TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

HEXFET

Package Type

SOIC

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

222mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.8nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has smallest footprint which makes it ideal for applications for where printed circuit board space is at premium.

Ultra low resistance

Available in tape and reel

Very small SOIC package

relaterade länkar