Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

3 443,61 kr

(exkl. moms)

4 304,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 8 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 13 443,61 kr
2 - 23 271,52 kr
3 +3 133,76 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-1093
Tillv. art.nr:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

AG-EASY3B

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.5mΩ

Forward Voltage Vf

6.15V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

relaterade länkar