Infineon, MOSFET, 50 A 2000 V, AG-EASY3B

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 747,02 kr

(exkl. moms)

3 433,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 747,02 kr
2 - 22 609,60 kr
3 +2 499,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-1093
Tillv. art.nr:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

2000V

Kapseltyp

AG-EASY3B

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

26.5mΩ

Framåtriktad spänning Vf

6.15V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Relaterade länkar