Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -13 A -150 V, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3986
- Tillv. art.nr:
- IRFR6215TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
81,31 kr
(exkl. moms)
101,64 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,262 kr | 81,31 kr |
| 50 - 120 | 14,65 kr | 73,25 kr |
| 125 - 245 | 13,844 kr | 69,22 kr |
| 250 - 495 | 12,88 kr | 64,40 kr |
| 500 + | 11,872 kr | 59,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3986
- Tillv. art.nr:
- IRFR6215TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -150V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 580mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -150V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 580mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 13 A P IPD
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -11 A -55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 11 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET